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SK海力士完成與英特爾的最終交割

SK海力士將于2025年3月（協(xié)議預設的最早時間點）支付收購尾款，完成與英特爾NAND閃存業(yè)務的最終交割。隨著交易的完成，將加強SK海力士在全球NAND閃存市場的地位，尤其是企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）方面。隨著AI技術的普及和應用，存儲需求正在不斷增長，HBM領域的領導者SK海力士卻沒有停止擴張的步伐，這次收購將使SK海力士與競爭對手三星展開直接競爭?！?2020年10月，SK海力士與英特爾達成協(xié)議，宣布以90億美元收購其NAND閃存及存儲業(yè)務；· 2021年12月，第一階段的交易完成，SK海力士支付70億
關鍵字： SK海力士英特爾 NAND 閃存

十年磨一劍：三星引入長江存儲專利技術

近日，三星與長江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關專利許可協(xié)議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨立的硅片上制造，因此需要長江存儲的專利技術W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術實現?——?通過直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統(tǒng)的凸點連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
關鍵字：三星長江存儲 NAND 混合鍵合晶棧 Xtacking 閃存

NAND Flash市況有望6月復蘇

NAND Flash控制芯片廠慧榮科技總經理茍嘉章預期，NAND Flash市況將于6月好轉，下半年表現將優(yōu)于上半年，甚至不排除供應吃緊的可能性。茍嘉章指出，2025年第一季NAND Flash雖小幅下跌，但供應商已開始堅守價格，避免市場陷入低迷行情。他強調，供應商根據市場狀況自然調節(jié)供給，是NAND Flash供需好轉的主因之一，2025年NAND Flash位元供給，估計將增加上看20%。美國商務部對出口至中國大陸的存儲器制造設備實施管制，也將延緩中國大陸廠商在DRAM領域的擴張步伐。盡管中國大陸部分
關鍵字： TrendForce 集邦咨詢 NAND Flash

稱三星與長江存儲合作，新一代NAND將采用中國企業(yè)專利

據韓媒報道，三星已確認從V10（第10代）開始，將使用長江存儲(YMTC)的專利技術，特別是在新的先進封裝技術“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專利的許可協(xié)議，達成合作。據悉，V10是三星電子計劃最早在今年下半年開始量產的下一代NAND，該產品預計將具有約420至430層。將采用多項新技術，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術。據了解，長江存儲是最早將混合鍵合應用于3D NAND的企業(yè)，并將這項技術命名為“晶棧Xtacking”。該技術可在一片晶圓上獨立加工負責
關鍵字：三星長江存儲 NAND

鎧俠與閃迪合作研發(fā)出332層NAND閃存

自鎧俠官網獲悉，日前，鎧俠公司和閃迪公司宣布率先推出了最先進的3D閃存技術，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度樹立了行業(yè)標桿。據悉，鎧俠新閃存采用CBA雙晶圓鍵合技術，分別制造CMOS控制電路、NAND存儲陣列，然后鍵合在一起，類似長江存儲的Xtacking晶棧架構。3D堆疊層數達到空前的332層，對比第8代的218層增加了多達38%。兩家公司的新一代3D閃存較目前量產的第八代產品（BiCS FLASH? generation 8）實現了33%的NAND接口速度提升，達到4.8G
關鍵字：鎧俠 3D閃存 NAND

NAND閃存再減產：三星、SK海力士將至少削減10%

據報道，NAND閃存在2025年將繼續(xù)面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執(zhí)行減產計劃。當前，存儲器市場，尤其是NAND閃存領域，似乎正步入一個低迷階段。自2024年第三季度以來，NAND閃存價格持續(xù)下滑，這一趨勢使得供應商對2025年上半年的市場需求前景持悲觀態(tài)度。長期的價格疲軟無疑將進一步壓縮企業(yè)的利潤空間，為此，三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實施更為激進的減產措施，將NAND閃存產量削減幅度提高至10%以上。在此前的上升周期時，N
關鍵字： NAND 閃存三星 SK海力士

國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

據媒體報道，近日，研究人員發(fā)現了一種使用先進的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調整化學成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內存存儲奠定了基礎。這項研究是由來自Lam Research、科羅拉多大學博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實驗室（PPPL）的科學家通過模擬和實驗進行的。根據報道，前PPPL研究員、現就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學所需的非常小但很深的圓孔的最簡
關鍵字： 3D NAND 深孔蝕刻

NAND價格能否“觸底反彈”？

全球NAND閃存價格已連續(xù)四個月下跌，為應對這一不利局面，廠商開始減產以平衡供求，進而穩(wěn)定價格。美光率先宣布將減產，隨后三星也被曝出將調整其韓國本土的NAND產量以及中國西安工廠的開工率，韓國另一大存儲芯片制造商SK海力士也計劃削減產量。
關鍵字： NAND 三星閃存美光 SK海力士

NAND Flash廠商2025年重啟減產策略，以緩解供需失衡和穩(wěn)定價格

根據TrendForce集邦咨詢最新研究報告指出，NAND Flash產業(yè)2025年持續(xù)面臨需求疲弱、供給過剩的雙重壓力。在此背景下，除了Micron（美光）率先宣布減產，Kioxia/ SanDisk（鎧俠/閃迪）、Samsung（三星）和SK hynix/ Solidigm（SK海力士/思得）也啟動相關計劃，可能長期內加快供應商整合步伐。TrendForce集邦咨詢表示，NAND Flash廠商主要通過降低2025年稼動率和延后制程升級等方式達成減產目的，背后受以下因素驅動：第一，需求疲軟
關鍵字： NAND Flash 減產 TrendForce 集邦咨詢

嵌入式軟件OTA升級，有哪幾種FLASH劃分方式？

很多嵌入式硬件設備都集成了OTA功能，以便產品量產后可以通過遠程OTA等方式下載的APP應用程序。在使用帶有OTA功能的固件之前，其實還需要提前下載BootLoader程序，才能進一步下載APP程序，今天就來說說通過OTA方式升級固件時，幾種Flash（閃存）劃分方式。獨立型
關鍵字：嵌入式 OTA FLASH

應對降價：三星大幅減產西安工廠NAND閃存！

1月13日消息，據媒體報道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產，以此應對全球NAND供應過剩導致的價格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數據顯示，截至2024年10月底，用于存儲卡和U盤的通用NAND閃存產品的價格較9月下降了29.18%。據行業(yè)消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%，每月平均產量預計將從20萬片減少至約17萬片。此外，三星韓國華城的12號和17號生產線也將調整其供應，導致整體產能降低。三星在2023年曾實施過類似的減產措施，當時
關鍵字：三星 NAND 閃存存儲卡 U盤晶圓 SK海力士鎧俠西部數據美光長江存儲

SK 海力士新設 AI 芯片開發(fā)和量產部門，任命首席開發(fā)官及首席生產官

12 月 5 日消息，據 Businesses Korea 今日報道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構優(yōu)化。本次調整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據核心職能分工明確責任與權限，業(yè)務單元被劃分為包括 AI 基礎設施（CMO）、未來技術研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產（CPO）在內的五大部門。據介紹，新設的 AI 芯片開發(fā)部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內存等
關鍵字： SK海力士內存 NAND

3Q24 NAND Flash營收季增4.8%，企業(yè)級SSD需求強勁，消費性訂單未復蘇

根據TrendForce集邦咨詢最新調查，2024年第三季NAND Flash產業(yè)出貨量位元季減2%，但平均銷售單價（ASP）上漲7%，帶動產業(yè)整體營收達176億美元，季增4.8%。TrendForce集邦咨詢表示，不同應用領域的NAND Flash價格走勢在今年第三季出現分化，企業(yè)級SSD需求強勁，推升價格季增近15%，消費級SSD價格雖有小幅上漲，但訂單需求較前一季衰退。智能手機用產品因中國手機品牌嚴守低庫存策略，訂單大量減少，第三季合約價幾乎與上季持平。Wafer受零售市場需求疲軟影響，合約價反
關鍵字： NAND Flash 企業(yè)級SSD TrendForce 集邦咨詢

三星大幅減少未來生產NAND所需光刻膠使用量

據韓媒報道，稱三星電子在生產 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達到此前用量的一半。報道稱，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過精確控制涂布機的轉速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個層，從而提高工藝效率，但同時也有均勻性問題。東進半導體一直是三星KrF光刻膠的獨家供應商，為三星第7代（11微米）和第
關鍵字：三星光刻膠 3D NAND

兆易創(chuàng)新GD25/55全系列車規(guī)級SPI NOR Flash榮獲ISO 26262 ASIL D功能安全認證證書

業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布，旗下GD25/55全系列車規(guī)級SPI NOR Flash獲得由國際公認的測試、檢驗和認證機構SGS授予的ISO 26262:2018 ASIL D汽車功能安全認證證書。這一成就不僅有力印證了GD25/55全系列車規(guī)級SPI NOR Flash在嚴苛汽車應用場景中的卓越安全性能和可靠性，也進一步鞏固了公司在SPI NOR Flash領域的領導地位。隨著汽車電子電氣組件數量的指數級增長，其安全性需求日益凸顯。ISO 26262作為國際權威汽車功能
關鍵字：兆易創(chuàng)新 SPI NOR Flash

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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經有數 [ 查看詳細 ]