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SK海力士完成與英特爾的最終交割
- SK海力士將于2025年3月(協(xié)議預設的最早時間點)支付收購尾款,完成與英特爾NAND閃存業(yè)務的最終交割。隨著交易的完成,將加強SK海力士在全球NAND閃存市場的地位,尤其是企業(yè)級固態(tài)硬盤(SSD)方面。隨著AI技術的普及和應用,存儲需求正在不斷增長,HBM領域的領導者SK海力士卻沒有停止擴張的步伐,這次收購將使SK海力士與競爭對手三星展開直接競爭?!?2020年10月,SK海力士與英特爾達成協(xié)議,宣布以90億美元收購其NAND閃存及存儲業(yè)務;· 2021年12月,第一階段的交易完成,SK海力士支付70億
- 關鍵字: SK海力士 英特爾 NAND 閃存
NAND Flash市況 有望6月復蘇
- NAND Flash控制芯片廠慧榮科技總經理茍嘉章預期,NAND Flash市況將于6月好轉,下半年表現將優(yōu)于上半年,甚至不排除供應吃緊的可能性。茍嘉章指出,2025年第一季NAND Flash雖小幅下跌,但供應商已開始堅守價格,避免市場陷入低迷行情。他強調,供應商根據市場狀況自然調節(jié)供給,是NAND Flash供需好轉的主因之一,2025年NAND Flash位元供給,估計將增加上看20%。美國商務部對出口至中國大陸的存儲器制造設備實施管制,也將延緩中國大陸廠商在DRAM領域的擴張步伐。盡管中國大陸部分
- 關鍵字: TrendForce 集邦咨詢 NAND Flash
NAND Flash廠商2025年重啟減產策略,以緩解供需失衡和穩(wěn)定價格
- 根據TrendForce集邦咨詢最新研究報告指出,NAND Flash產業(yè)2025年持續(xù)面臨需求疲弱、供給過剩的雙重壓力。在此背景下,除了Micron(美光)率先宣布減產,Kioxia/ SanDisk(鎧俠/閃迪)、Samsung(三星)和SK hynix/ Solidigm(SK海力士/思得)也啟動相關計劃,可能長期內加快供應商整合步伐。TrendForce集邦咨詢表示,NAND Flash廠商主要通過降低2025年稼動率和延后制程升級等方式達成減產目的,背后受以下因素驅動:第一,需求疲軟
- 關鍵字: NAND Flash 減產 TrendForce 集邦咨詢
應對降價:三星大幅減產西安工廠NAND閃存!
- 1月13日消息,據媒體報道,三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產,以此應對全球NAND供應過剩導致的價格下跌,確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數據顯示,截至2024年10月底,用于存儲卡和U盤的通用NAND閃存產品的價格較9月下降了29.18%。據行業(yè)消息,三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%,每月平均產量預計將從20萬片減少至約17萬片。此外,三星韓國華城的12號和17號生產線也將調整其供應,導致整體產能降低。三星在2023年曾實施過類似的減產措施,當時
- 關鍵字: 三星 NAND 閃存 存儲卡 U盤 晶圓 SK海力士 鎧俠 西部數據 美光 長江存儲
3Q24 NAND Flash營收季增4.8%,企業(yè)級SSD需求強勁,消費性訂單未復蘇
- 根據TrendForce集邦咨詢最新調查,2024年第三季NAND Flash產業(yè)出貨量位元季減2%,但平均銷售單價(ASP)上漲7%,帶動產業(yè)整體營收達176億美元,季增4.8%。TrendForce集邦咨詢表示,不同應用領域的NAND Flash價格走勢在今年第三季出現分化,企業(yè)級SSD需求強勁,推升價格季增近15%,消費級SSD價格雖有小幅上漲,但訂單需求較前一季衰退。智能手機用產品因中國手機品牌嚴守低庫存策略,訂單大量減少,第三季合約價幾乎與上季持平。Wafer受零售市場需求疲軟影響,合約價反
- 關鍵字: NAND Flash 企業(yè)級SSD TrendForce 集邦咨詢
兆易創(chuàng)新GD25/55全系列車規(guī)級SPI NOR Flash榮獲ISO 26262 ASIL D功能安全認證證書
- 業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布,旗下GD25/55全系列車規(guī)級SPI NOR Flash獲得由國際公認的測試、檢驗和認證機構SGS授予的ISO 26262:2018 ASIL D汽車功能安全認證證書。這一成就不僅有力印證了GD25/55全系列車規(guī)級SPI NOR Flash在嚴苛汽車應用場景中的卓越安全性能和可靠性,也進一步鞏固了公司在SPI NOR Flash領域的領導地位。隨著汽車電子電氣組件數量的指數級增長,其安全性需求日益凸顯。ISO 26262作為國際權威汽車功能
- 關鍵字: 兆易創(chuàng)新 SPI NOR Flash
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數據的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行,如果目標區(qū)域已經有數 [ 查看詳細 ]